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云南锗业（002428）11月6日晚间公告，同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“云南鑫耀”）与自然人刘广政共同出资5000万元设立湖北鑫耀半导体材料科技有限公司（简称“湖北鑫耀”），并同意以控股孙公司湖北鑫耀为主体实施“高品质砷化镓晶片建设项目”。
本项目实际上以搬迁作为主体，云南锗业计划在湖北省黄冈市高新技术产业园区下属化工园区新建厂房，新增主要工艺设备及公辅设施，以及将现有砷化镓晶片生产线整体搬迁至新厂盛盈优配，最终建成年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片生产线、配套年产3万套半导体级4—6英寸石英管生产线，以及依托项目的公辅设施，建设产品研发中心。项目总投资2.72亿元，项目建设期18个月。
与之对应的是，在对湖北鑫耀的出资中，云南锗业将有3240.60万元的出资由机器设备形式完成，对应云南鑫耀现有的砷化镓生产线378台机器设备。此外，云南锗业还计划以货币资金出资1259.40万元，刘广政以货币资金形式认缴出资500万元。最终，云南鑫耀、刘广政在湖北鑫耀的各自持股比例分别为90%、10%。
云南锗业介绍，本项目的合作人刘广政是中国科学院半导体研究所材料物理与化学工学博士，高级职称，长期从事于半导体材料与器件以及核心制造装备的学习、研究、生产及管理，专业知识扎实，经验丰富，并在多个半导体相关产品的开发和产业化推动方面有成功案例。记者通过企查查查询，未获得刘广政在产业方面的布局。
云南锗业为何实施本次搬迁？当前产能不充分的应用状况或是原因之一盛盈优配。
根据云南锗业此前曾披露，截至2024年底公司已经形成砷化镓晶片产能为80万片/年（2—6英寸），当年公司生产砷化镓晶片8.75万片（1—6寸合计），公司计划在2025年生产砷化镓晶片20万片（3—6寸）。
云南锗业表示，通过本项目的实施公司将产业发展前沿向市场需求更为集中、技术支持及产业配套更加完善的地区逐步转移，有利于进一步增强企业的核心竞争力、盈利能力以及研发能力，实现公司化合物半导体材料产业的高质量发展。
砷化镓（GaAs）作为第二代半导体衬底材料的代表，是继硅（Si）材料之后最重要的微电子材料之一。由于砷化镓具有本征载流子浓度低、光电特性好、电子迁移率高等特点，容易制成射频器件和光电子器件。近年来，由于在LED、半导体激光管和光电探测器等光电器件的可用性，砷化镓的需求量正在提升。
光电子信息产业是湖北省省会武汉市的五大优势产业之首，2024年产业规模已达7566亿元，正向首个万亿级产业集群迈进。湖北省方面近期表示，要聚焦信息光电子、能量光电子、生命光电子等重点领域，更大力度加强基础研究和前沿探索，努力产出更多标志性原创成果，更大力度依靠创新驱动塑造光电子信息领域先发优势，培育更多引领型发展。
云南锗业方面强调盛盈优配，公司拟通过本次项目投资，紧抓产业发展机遇，进一步扩大产能，提高工艺技术水平，加大关键核心技术的研发及成果转化，推动设备优化升级，以满足新兴市场需求。
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